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直播预告!第三届半导体材料器件研究与应用网络会议之光电材料与器件
2024-06-26
阅读量: 作者:凯发K8天生赢家一触即发官网

  仪器信息网将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议,会议开设了光电材料与器件研究与应用专场。

  光电材料是目前半导体行业的研究热点之一,其包含了较多的研究方向,主要有有机光电材料和无机光电材料两方面。有机光电材料中目前热门的是有机太阳能电池,而无机光电材料中则是钙钛矿太阳能电池。前者由于设计性高,质量轻,可大面积制造等优点一直受到科研人员的广泛青睐,近年来发展也非常迅速。后者因其优异的光电转换效率可媲美硅基太阳能电池,所以一直是《Nature》、《Science》等世界顶级期刊中的常客。

  仪器信息网将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议,会议分设光电材料与器件研究与应用、第三代半导体研究与检测技术、传感器与半导体产业配套材料研究与检测技术三个专场。邀请半导体领域相关研究、应用与检测专家、知名仪器企业技术代表,以线上分享报告、在线与网友交流互动形式,为同行搭建公益学习互动平台,增进学术交流。

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  肖立新,日本东京大学博士毕业,现为北京大学物理学院教授,博士生导师。英国皇家化学学会会士,中国材料学会太阳能分会秘书长、 国际信息显示学会(SID) 中国北区执委会学术副主席。研究方向:有机光电子学,长期从事光电功能材料及器件方面的研究,如有机发光材料及其器件,光伏材料及其器件物理等。研究成果:主持过多次国家自然科学基金,承担973项目子课题。已发表论文150余篇及申请专利共30余件,SCI他引4500余次,入选2020全球前2%顶尖科学家“年度影响力”榜单。编著《钙钛矿太阳能电池》(第一、二版),译著《有机电致发光-从材料到器件》,参与编著《锂离子电池》。2015年度教育部自然科学一等奖(第一完成人,高效有机蓝光材料及其介观结构发光器件研究)。【摘要】铅基钙钛矿的毒性阻碍了其在光电子学中的广泛应用。由于载流子寿命长和稳定性好,无铅钙钛矿Cs2AgBiBr6被认为是一种很有前途的候选者[1-2]。然而,相对较大的1.98 eV带隙限制了其在可见光区的吸收。鉴于此,我们掺铁将Cs2AgBiBr6的吸收扩展到具有中波段的近红外区域 (≈1350 nm)的研究成果[5]。Fe2+被选为掺杂剂以合金化成Cs2AgBiBr6单晶,并导致吸收范围扩大至≈1350 nm,这是无铅钙钛矿中记录的最长近红外(NIR)响应。大约1%的Fe离子合金化到Cs2AgBiBr6晶格中,导致晶格收缩。正如三次谐波生成结果所证实的那样,Fe掺杂不会缩小其本征带隙,而是会在Cs2AgBiBr6的原始带隙内引入一个新的中间带,以强烈吸收近红外光。此外,在近红外照射下,在Fe掺杂的Cs2AgBiBr6晶体中产生了大量的光生载流子。这项工作为扩展用于近红外电探测器和中间带光伏器件的无铅钙钛矿的光学响应提供了一种新方法。

  北京航空航天大学材料科学与工程学院硕士,现任美国TA仪器热分析高级应用专家。负责中国南方区的热分析应用技术支持,教授热分析技术培训课程几十场,长期从事各类材料的热分析、力学性能表征及失效分析等工作。以第一作者身份发表在《Matter》的仿生材料研究被《每日科学》等多家国际媒体报道。

  2021年获英国曼彻斯特大学博士学位,随后加入牛津仪器纳米分析部,负责EDS、EBSD、OmniProbe和WDS技术推广及应用支持。博士期间主要通过HRDIC-EBSD-ECCI联用技术研究金属材料在亚微米尺度的塑性变形行为。【摘要】 报告主要围绕半导体行业材料的力学及热性能评估展开。材料的玻璃化转变、热分解温度、热膨胀系数、吸湿性、模量等参数,决定了材料的稳定性和最终使用性能,报告将介绍如何使用热分析和力学表征设备得到这些重要相关参数。

  南京工业大学先进材料研究院教授、博士生导师、国家海外高层次青年人才引进计划入选者。2009年在武汉大学获得学士学位, 2013年在香港科技大学获得博士学位,2014年起在瑞士日内瓦大学从事博士后工作,2017年被南京工业大学聘请为教授和博士生导师。主要研究新型低维纳米材料的生长制备、量子输运、光电特性和存储器件,探讨和发现不同种类材料中的微观电子行为及器件性能。目前已发表学术论文近50篇,以第一作者/通讯作者身份在Nature Communications, Physical Review Letters, Advanced Materials, Nano Today等发表论文20余篇。曾荣获国际先进材料学会IAAM奖章(International Association of Advanced Materials)、欧洲材料学会青年科学家奖 (Young Scientist Award)、国家青年千人、江苏特聘教授、江苏省“六大人才高峰”高层次人才A类、首届国家级江北新区“十大杰出青年”、中国青少年科技创新奖等荣誉,担任国际先进材料协会会员、欧洲先进材料大会科学顾问委员、柔性电子材料与器件工信部重点实验室学术委员会委员、中国激光杂志社青年编委、江苏省青年联合会委员、江苏省青年科技工作者协会会员等社会兼职。【摘要】 二维材料由于极限超薄厚度、超强量子效应、匹配硅基工艺等,近年来受到学术界的广泛关注。我们聚焦二维材料在异质界面工程的独特优势,利用多维界面生长新型二维材料,利用界面组合产生新奇发光特性,利用界面器件设计优越光电性能,具体包括:(1)界面生长新材料:利用一步滴涂法制备二维碘化铅纳米薄片,并利用碘化铅和有机分子形成的固气界面,实现了多种杂化钙钛矿的灵活制备和异质组装;利用杂化钙钛矿同时具有晶向明确的无机骨架和易于自组装的有机配体,实现了三维和二维钙钛矿之间的室温定向自组装,展现了独特的界面应变效应和发光特性。(2)界面衍生新物性:通过将手性和非手性钙钛矿纳米片组合成范德华异质结,实现了非手性钙钛矿圆偏振光特性的产生、调控和提升;通过研究单层WSe2与其他二维材料组成异质结构的变温荧光光谱,发现了巨大层间剪切热形变的新奇热力学特性和作用机制.(3)界面设计新器件:基于二维半导体和杂化钙钛矿的异质界面工程,制备了基于二维材料的中红外发光二极管、具有优异光电探测性能的微纳光电器件和基于极简结构的超低功耗存储器和整流存储一体化器件.

  大话芯片总编。先后出版书籍《芯人物》一册和二册、《中国智慧家庭产业创新启示录》。曾就职于华为公司;后跨界进入媒体领域,先后在《中国电子报》、《集微网》等行业媒体,专注半导体全产业链10余年。【摘要】 半导体材料的发展历程,全球半导体材料的产业格局,中国半导体材料的发展机遇

  毕业于北京科技大学,材料物理化学系硕士。目前担任江西兆驰半导体有限公司研发中心经理,一直从事和负责氮化镓材料及相关发光器件的光电特征研究和高亮度高效率蓝光以及白光半导体发光二极管的产品技术研发工作,在正装、倒装、垂直、Mini/Micro RGB等芯片领域有着丰富的研发经验【摘要】 GaN材料可应用于分立器件,包含光电器件、功率器件等,在光电器件领域有着广泛的应用,主要是LED发光二极管,应用于家用和商用照明、植物照明、车灯、紫外消毒、背光显示等领域,Mini和Micro显示作为LED的未来发展之路,拥有独立的三原色芯片,发光像素单元为自发光微米量级的LED,将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点, 在显示方面与 LCD、OLED相比,在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势 。

  毕业于东华大学应用化学专业,有超过4年国际顶级高纯电子材料行业从业经验,主要从事电子化学品的分析工作,掌握不同类型电子化学品的分析难点,以及复杂问题的解决;加入安捷伦后,作为原子光谱应用工程师,重点专注于半导体高纯材料的无机元素分析,材料类型涵盖半导体产业链的各个环节,包括高纯度的湿化学品,硅材料以及其他种类的高纯金属材料,擅长分析过程中污染控制,干扰去除,以及降低仪器背景等环节,对于低浓度的超痕量分析测试积累了丰富的实战经验。

  北京理工大学,预聘副研究员,2012年于电子科技大学集成电路设计与集成系统专业获得学士学位,2017年于北京大学微电子与固体电子专业获得博士学位。2019年7月加入北京理工大学材料学院材料物理与化学系。主要从事新能源材料与器件、钙钛矿光电材料与器件等研究。以第一作者身份在un., Adv. Mater., Adv. Energy Mater. Nano Energy等杂志发表论文15篇,其中ESI高被引论文2篇,ESI热点论文3篇,总被引次数超过600。研究领域:新型能源材料与器件;钙钛矿光电材料与器件;微纳加工。【摘要】 钙钛矿太阳能电池(PSCs)的光电转换效率已经超过25%,但寿命依然低于工业所需的20年,严重限制了其商业应用。目前报道的多数钙钛矿电池在水分、光照、热或其他因素的干扰下都会严重失效。聚合物在钙钛矿器件中可起到界面修饰、水氧隔离等作用。本工作系统研究了钙钛矿薄膜的退化机理,采用聚合物矩阵策略,设计并优化了钙钛矿光伏器件的电子传输层,通过开发新型紫外惰性电子传输材料及低温介孔结构,来提高PSCs在潮湿环境或光照下的工作稳定性。制备了ITO/UV惰性ETL/ Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45/Sprio-MeOTAD/Au结构的太阳能电池,其光电转换效率达到22%,光稳定性得到明显改善。优化后的器件在AM1.5G(氙灯)持续光照,最大功率点电压下工作120小时后,依然保持95%以上的初始性能。在进一步的工作中,需要深入研究PSCs的复杂降解机理,在此基础上开发更具针对性的薄膜改性方法和新型器件结构。

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